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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMS10P02R2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMS10P02R2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMS10P02R2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMS10P02R2.pdf
État RoHS
En stock: 45090

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMS10P02R2G
onsemi - NTMS10P02R2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMS10P02R2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta)  
Numéro de produit de base NTMS10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMS10P02R2G

Attributs du produit NTMS10P02R2G NTMFS6H848NT1G NTMS4177PR2G NTMS4107NR2G
Modèle de produit NTMS10P02R2G NTMFS6H848NT1G NTMS4177PR2G NTMS4107NR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package composant fournisseur 8-SOIC 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10A, 4.5V 9.4mOhm @ 10A, 10V 12mOhm @ 11.4A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3640 pF @ 16 V 1180 pF @ 40 V 3100 pF @ 24 V 6000 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 80 V 30 V 30 V
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 3.7W (Ta), 73W (Tc) 840mW (Ta) 930mW (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta) 13A (Ta), 57A (Tc) 6.6A (Ta) 11A (Ta)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 4V @ 70µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V 16 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 45 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base NTMS10 NTMFS6 NTMS41 NTMS41

Fiche technique NTMS10P02R2G PDF

Téléchargez NTMS10P02R2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMS10P02R2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Conception / spécification PCN
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Feuilles de données
NTMS10P02R2.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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