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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTMFS6H801NT1G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMFS6H801NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMFS6H801NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMFS6H801NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique
NTMFS6H801N.pdf
État RoHS
En stock: 28578

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMFS6H801NT1G
onsemi - NTMFS6H801NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMFS6H801NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 166W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 157A (Tc)  
Numéro de produit de base NTMFS6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMFS6H801NT1G

Attributs du produit NTMFS6H801NT1G NTMFS6B14NT1G NTMFS6H836NLT1G NTMFSC0D9N04CL
Modèle de produit NTMFS6H801NT1G NTMFS6B14NT1G NTMFS6H836NLT1G NTMFSC0D9N04CL
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 166W (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc) 3.7W (Ta), 89W (Tc) 83W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 6.2mOhm @ 15A, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 40 V 1300 pF @ 50 V 1950 pF @ 40 V 8500 pF @ 20 V
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 8-PQFN (5x6)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TA)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V 80 V 40 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base NTMFS6 NTMFS6 NTMFS6 NTMFSC0
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 157A (Tc) 10A (Ta), 50A (Tc) 16A (Ta), 77A (Tc) 313A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 95µA 2V @ 250µA
Séries - - - -

Fiche technique NTMFS6H801NT1G PDF

Téléchargez NTMFS6H801NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMFS6H801NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 17/Oct/2022.pdf
Emballage PCN
MPN Label Update 08/Sep/2021.pdf MPN label update 11/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
NTMFS6H801N.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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