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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTMD2P01R2G
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NTMD2P01R2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMD2P01R2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMD2P01R2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMD2P01R2.pdf
Notre certification
En stock: 5300

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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NTMD2P01R2G
onsemi - NTMD2P01R2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMD2P01R2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Puissance - Max 710mW  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 16V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTMD2P  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMD2P01R2G

Attributs du produit NTMD2P01R2G NTMC1300R2 NTMD3N08LR2 NTMD2C02R2
Modèle de produit NTMD2P01R2G NTMC1300R2 NTMD3N08LR2 NTMD2C02R2
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base NTMD2P NTMC13 NTMD3 NTMD2C
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V 5nC @ 4.5V 15nC @ 10V 20nC @ 4.5V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A 2.2A, 1.8A 2.3A 5.2A, 3.4A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Puissance - Max 710mW 2W 3.1W 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 16V 30V 80V 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V 300pF @ 20V 480pF @ 25V 1100pF @ 10V
Configuration 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.4A, 4.5V 90mOhm @ 3A, 10V 215mOhm @ 2.5A, 10V 43mOhm @ 4A, 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -

Fiche technique NTMD2P01R2G PDF

Téléchargez NTMD2P01R2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMD2P01R2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf
Conception / spécification PCN
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Feuilles de données
NTMD2P01R2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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