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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTMD2C02R2
NTMD2C02R2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMD2C02R2 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMD2C02R2
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMD2C02R2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMD2C02R2.pdf
En stock: 5400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMD2C02R2
onsemi - NTMD2C02R2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMD2C02R2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A, 3.4A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base NTMD2C  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMD2C02R2

Attributs du produit NTMD2C02R2 NTMD3P03R2G NTMC1300R2 NTMD2C02R2G
Modèle de produit NTMD2C02R2 NTMD3P03R2G NTMC1300R2 NTMD2C02R2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NTMD2C NTMD3 NTMC13 NTMD2C
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A, 3.4A 2.34A 2.2A, 1.8A 5.2A, 3.4A
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 10V 5nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4A, 4.5V 85mOhm @ 3.05A, 10V 90mOhm @ 3A, 10V 43mOhm @ 4A, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Puissance - Max 2W 730mW 2W 2W
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V 750pF @ 24V 300pF @ 20V 1100pF @ 10V

Fiche technique NTMD2C02R2 PDF

Téléchargez NTMD2C02R2 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMD2C02R2 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Conception / spécification PCN
Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008.pdf
Feuilles de données
NTMD2C02R2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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