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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTJD3158CT2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTJD3158CT2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTJD3158CT2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V SC88-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
NTJD3158C.pdf
En stock: 3970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTJD3158CT2G
onsemi - NTJD3158CT2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTJD3158CT2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V  
Puissance - Max 270mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 630mA, 820mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base NTJD31  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTJD3158CT2G

Attributs du produit NTJD3158CT2G NTJD2152PT1G NTJD4105CT2 NTJD4152PT1
Modèle de produit NTJD3158CT2G NTJD2152PT1G NTJD4105CT2 NTJD4152PT1
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 630mA, 820mA 775mA 630mA, 775mA 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V 300mOhm @ 570mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V 225pF @ 8V 46pF @ 20V 155pF @ 20V
Configuration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base NTJD31 NTJD21 NTJD4105 NTJD4152
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 20V 8V 20V, 8V 20V
Puissance - Max 270mW 270mW 270mW 272mW

Fiche technique NTJD3158CT2G PDF

Téléchargez NTJD3158CT2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTJD3158CT2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Feuilles de données
NTJD3158C.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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