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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTJD2152PT1
NTJD2152PT1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTJD2152PT1 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTJD2152PT1
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTJD2152PT1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
NTJD2152P-D.pdf
En stock: 4330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTJD2152PT1
onsemi - NTJD2152PT1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTJD2152PT1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 570mA, 4.5V  
Puissance - Max 270mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 8V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 775mA  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTJD21  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTJD2152PT1

Attributs du produit NTJD2152PT1 NTJD4152PT1 NTJD4105CT2G NTJD4152PT1G
Modèle de produit NTJD2152PT1 NTJD4152PT1 NTJD4105CT2G NTJD4152PT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 8V 20V 20V, 8V 20V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Puissance - Max 270mW 272mW 270mW 272mW
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 775mA 880mA 630mA, 775mA 880mA
Numéro de produit de base NTJD21 NTJD4152 NTJD4105 NTJD4152
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 8V 155pF @ 20V 46pF @ 20V 155pF @ 20V
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 570mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V 260mOhm @ 880mA, 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V 2.2nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Fiche technique NTJD2152PT1 PDF

Téléchargez NTJD2152PT1 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTJD2152PT1 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 11/Feb/2009.pdf
Feuilles de données
NTJD2152P-D.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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