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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTHS5441T1
NTHS5441T1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTHS5441T1 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTHS5441T1
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTHS5441T1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
NTHS5441.pdf
En stock: 241630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTHS5441T1
onsemi - NTHS5441T1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTHS5441T1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ChipFET™  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.9A (Ta)  
Numéro de produit de base NTHS54  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTHS5441T1

Attributs du produit NTHS5441T1 NTHS5443T1G NTHS4166NT1G NTHS2101PT1G
Modèle de produit NTHS5441T1 NTHS5443T1G NTHS4166NT1G NTHS2101PT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 8 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min) 2.3V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 5 V - 900 pF @ 15 V 2400 pF @ 6.4 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 18 nC @ 10 V 30 nC @ 4.5 V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base NTHS54 NTHS5443 NTHS4166 NTHS21
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V 65mOhm @ 3.6A, 4.5V 22mOhm @ 4.9A, 10V 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.9A (Ta) 3.6A (Ta) 4.9A (Ta) 5.4A (Tj)

Fiche technique NTHS5441T1 PDF

Téléchargez NTHS5441T1 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTHS5441T1 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Feuilles de données
NTHS5441.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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