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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTH4L080N120SC1
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTH4L080N120SC1 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTH4L080N120SC1
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTH4L080N120SC1
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Description détaillée
Emballage
TO-247-4
Fiche technique
NTH4L080N120SC1.pdf
État RoHS
En stock: 3611

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTH4L080N120SC1
onsemi - NTH4L080N120SC1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTH4L080N120SC1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA  
Vgs (Max) +25V, -15V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247-4L  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-4  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 800 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc)  
Numéro de produit de base NTH4L080  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTH4L080N120SC1

Attributs du produit NTH4L080N120SC1 NTH4L040N65S3F NTH4L040N120SC1 NTH441CT
Modèle de produit NTH4L080N120SC1 NTH4L040N65S3F NTH4L040N120SC1 NTH441CT
Fabricant onsemi onsemi onsemi Pulse Electronics
Package composant fournisseur TO-247-4L TO-247-4L TO-247-4L -
Vgs (Max) +25V, -15V ±30V +25V, -15V -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 800 V 5940 pF @ 400 V 1762 pF @ 800 V -
Numéro de produit de base NTH4L080 NTH4L040 NTH4L040 -
Package / Boîte TO-247-4 TO-247-4 TO-247-4 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc) 65A (Tc) 58A (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 650 V 1200 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 20V 10V 20V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA 5V @ 2.1mA 4.3V @ 10mA -
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 20 V 158 nC @ 10 V 106 nC @ 20 V -
Emballer Tube Tube Tube -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V 40mOhm @ 32.5A, 10V 56mOhm @ 35A, 20V -
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 446W (Tc) 319W (Tc) -
Séries - FRFET®, SuperFET® III - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -

Fiche technique NTH4L080N120SC1 PDF

Téléchargez NTH4L080N120SC1 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTH4L080N120SC1 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
NTH4L080N120SC1.pdf

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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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