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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTH4L040N65S3F
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTH4L040N65S3F - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTH4L040N65S3F
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTH4L040N65S3F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Description détaillée
Emballage
TO-247-4
Fiche technique
NTH4L040N65S3F.pdf
État RoHS
En stock: 3007

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTH4L040N65S3F
onsemi - NTH4L040N65S3F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTH4L040N65S3F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-4L  
Séries FRFET®, SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 446W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-4  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc)  
Numéro de produit de base NTH4L040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTH4L040N65S3F

Attributs du produit NTH4L040N65S3F NTH4L080N120SC1 NTH4L040N120SC1 NTH441CT
Modèle de produit NTH4L040N65S3F NTH4L080N120SC1 NTH4L040N120SC1 NTH441CT
Fabricant onsemi onsemi onsemi Pulse Electronics
Numéro de produit de base NTH4L040 NTH4L080 NTH4L040 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) -
Emballer Tube Tube Tube -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 1200 V 1200 V -
Package / Boîte TO-247-4 TO-247-4 TO-247-4 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Dissipation de puissance (max) 446W (Tc) 170W (Tc) 319W (Tc) -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 20V 20V -
Vgs (Max) ±30V +25V, -15V +25V, -15V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc) 29A (Tc) 58A (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.1mA 4.3V @ 5mA 4.3V @ 10mA -
Package composant fournisseur TO-247-4L TO-247-4L TO-247-4L -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V 56 nC @ 20 V 106 nC @ 20 V -
Séries FRFET®, SuperFET® III - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V 1670 pF @ 800 V 1762 pF @ 800 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V 110mOhm @ 20A, 20V 56mOhm @ 35A, 20V -

Fiche technique NTH4L040N65S3F PDF

Téléchargez NTH4L040N65S3F PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTH4L040N65S3F - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 17/May/2023.pdf
Feuilles de données
NTH4L040N65S3F.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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