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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTB35N15T4G
NTB35N15T4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTB35N15T4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTB35N15T4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTB35N15T4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NTB35N15.pdf
État RoHS
En stock: 4440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTB35N15T4G
onsemi - NTB35N15T4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTB35N15T4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 178W (Tj)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta)  
Numéro de produit de base NTB35  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTB35N15T4G

Attributs du produit NTB35N15T4G NTB45N06 NTB45N06T4G NTB45N06LG
Modèle de produit NTB35N15T4G NTB45N06 NTB45N06T4G NTB45N06LG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 150 V - 60 V 60 V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18.5A, 10V - 26mOhm @ 22.5A, 10V 28mOhm @ 22.5A, 5V
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 178W (Tj) - 2.4W (Ta), 125W (Tj) 2.4W (Ta), 125W (Tj)
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V - 46 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 5V
Package composant fournisseur D²PAK - D²PAK D²PAK
Numéro de produit de base NTB35 NTB45 NTB45 NTB45
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA - 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Ta) - 45A (Ta) 45A (Ta)
type de FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V - 1725 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique NTB35N15T4G PDF

Téléchargez NTB35N15T4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTB35N15T4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Cancellation 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
NTB35N15.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Expansion 24/Jul/2015.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTB35N15T4G

onsemi
32D-NTB35N15T4G

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