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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésNSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NSVMUN5212DW1T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NSVMUN5212DW1T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NSVMUN5212DW1T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
MUN5212DW1, NSBC124EDxx.pdf
État RoHS
En stock: 358030

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NSVMUN5212DW1T1G
onsemi - NSVMUN5212DW1T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NSVMUN5212DW1T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22kOhms  
Résistance - Base (R1) 22kOhms  
Puissance - Max 250mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base NSVMUN5212  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NSVMUN5212DW1T1G

Attributs du produit NSVMUN5212DW1T1G NSVMUN5331DW1T1G NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G
Modèle de produit NSVMUN5212DW1T1G NSVMUN5331DW1T1G NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Fréquence - Transition - - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V 8 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 35 @ 5mA, 10V
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V 50V 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 5mA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Numéro de produit de base NSVMUN5212 NSVMUN5331 NSVMUN5233 NSVMUN5211
Puissance - Max 250mW 250mW 250mW 250mW
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22kOhms 2.2kOhms 47kOhms 10kOhms
Séries - - Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Résistance - Base (R1) 22kOhms 2.2kOhms 4.7kOhms 10kOhms

Fiche technique NSVMUN5212DW1T1G PDF

Téléchargez NSVMUN5212DW1T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NSVMUN5212DW1T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Green Compound Update 04/Mar/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wire Qual 29/Aug/2019.pdf
Feuilles de données
MUN5212DW1, NSBC124EDxx.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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