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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséNSVMUN2112T1G
NSVMUN2112T1G Image
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NSVMUN2112T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NSVMUN2112T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NSVMUN2112T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 1975000

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NSVMUN2112T1G
onsemi - NSVMUN2112T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NSVMUN2112T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor Type PNP - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SC-59  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms  
Résistance - Base (R1) 22 kOhms  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Puissance - Max 230 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base NSVMUN2112  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NSVMUN2112T1G

Attributs du produit NSVMUN2112T1G NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2135LT1G
Modèle de produit NSVMUN2112T1G NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2232LT1G NSVMMUN2135LT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base NSVMUN2112 NSVMMUN2212 NSVMMUN2232 NSVMMUN2135
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Package composant fournisseur SC-59 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Résistance - Base (R1) 22 kOhms 22 kOhms 4.7 kOhms 2.2 kOhms
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms 22 kOhms 4.7 kOhms 47 kOhms
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 15 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA 500nA 500nA
Puissance - Max 230 mW 246 mW 246 mW 246 mW
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA

Fiche technique NSVMUN2112T1G PDF

Téléchargez NSVMUN2112T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NSVMUN2112T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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