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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDT3055L
NDT3055L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDT3055L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDT3055L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDT3055L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NDT3055L Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 78850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDT3055L
onsemi - NDT3055L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDT3055L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 345 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base NDT3055  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDT3055L

Attributs du produit NDT3055L NDT451AN NDT451N NDT3055
Modèle de produit NDT3055L NDT451AN NDT451N NDT3055
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 60 V
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) - -65°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 3W (Ta) - 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 4A, 10V 35mOhm @ 7.2A, 10V 50mOhm @ 5.5A, 10V 100mOhm @ 4A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 345 pF @ 25 V 720 pF @ 15 V 730 pF @ 10 V 250 pF @ 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base NDT3055 NDT451 NDT451 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 7.2A (Ta) 5.5A (Ta) 4A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique NDT3055L PDF

Téléchargez NDT3055L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDT3055L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Identification Change 07/Oct/2022.pdf
Conception / spécification PCN
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 17/Nov/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 30/May/2023.pdf
Feuilles de données
NDT3055L Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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