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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDT3055
NDT3055 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDT3055 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDT3055
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDT3055
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NDT3055.pdf
État RoHS
En stock: 87190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDT3055
onsemi - NDT3055 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDT3055

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base NDT305  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDT3055

Attributs du produit NDT3055 NDT3055 NDT3055L NDT2955
Modèle de produit NDT3055 NDT3055 NDT3055L NDT2955
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta) 2.5A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NDT305 - NDT3055 NDT295
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta) 1.1W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta)
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 4A, 10V 100mOhm @ 4A, 10V 100mOhm @ 4A, 10V 300mOhm @ 2.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 30 V 250 pF @ 30 V 345 pF @ 25 V 601 pF @ 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V

Fiche technique NDT3055 PDF

Téléchargez NDT3055 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDT3055 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 30/May/2023.pdf
Conception / spécification PCN
Standard Marking Lay-out 10/Oct/2022.pdf Standard Marking Lay-out 16/Nov/2021.pdf
Feuilles de données
NDT3055.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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