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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDF11N50ZH
NDF11N50ZH Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDF11N50ZH - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDF11N50ZH
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDF11N50ZH
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
NDF11N50Z.pdf
En stock: 4800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDF11N50ZH
onsemi - NDF11N50ZH Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDF11N50ZH

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-2 Full Pack  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base NDF11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDF11N50ZH

Attributs du produit NDF11N50ZH NDF08N50ZH NDF06N62ZG NDF10N60ZH
Modèle de produit NDF11N50ZH NDF08N50ZH NDF06N62ZG NDF10N60ZH
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Package composant fournisseur TO-220-2 Full Pack TO-220-2 Full Pack TO-220FP TO-220-2 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 500 V 500 V 620 V 600 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520mOhm @ 4.5A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 750mOhm @ 5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 8.5A (Tc) 6A (Tc) 10A (Tc)
Numéro de produit de base NDF11 NDF08 NDF06 NDF10
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V 1095 pF @ 25 V 923 pF @ 25 V 1645 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc) 35W (Tc) 31W (Tc) 39W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

Fiche technique NDF11N50ZH PDF

Téléchargez NDF11N50ZH PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDF11N50ZH - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
NDF11N50Z.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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