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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDF10N60ZH
NDF10N60ZH Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDF10N60ZH - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDF10N60ZH
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDF10N60ZH
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
NDx10N60ZG,H.pdf
En stock: 4300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDF10N60ZH
onsemi - NDF10N60ZH Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDF10N60ZH

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-2 Full Pack  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base NDF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDF10N60ZH

Attributs du produit NDF10N60ZH NDF06N62ZG NDF06N60ZH NDF08N50ZH
Modèle de produit NDF10N60ZH NDF06N62ZG NDF06N60ZH NDF08N50ZH
Fabricant onsemi onsemi Sanyo onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Package composant fournisseur TO-220-2 Full Pack TO-220FP TO-220-3 Full Pack TO-220-2 Full Pack
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 620 V 600 V 500 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1645 pF @ 25 V 923 pF @ 25 V 923 pF @ 25 V 1095 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc) 31W (Tc) 31W (Tc) 35W (Tc)
Numéro de produit de base NDF10 NDF06 - NDF08
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 6A (Tc) 6A (Tj) 8.5A (Tc)
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V

Fiche technique NDF10N60ZH PDF

Téléchargez NDF10N60ZH PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDF10N60ZH - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
Feuilles de données
NDx10N60ZG,H.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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