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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDD03N60Z-1G
NDD03N60Z-1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDD03N60Z-1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDD03N60Z-1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDD03N60Z-1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
NDx03N60Z.pdf
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDD03N60Z-1G
onsemi - NDD03N60Z-1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDD03N60Z-1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 61W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 312 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc)  
Numéro de produit de base NDD03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDD03N60Z-1G

Attributs du produit NDD03N60Z-1G NDD03N80ZT4G NDD04N50Z-1G NDD03N50Z-1G
Modèle de produit NDD03N60Z-1G NDD03N80ZT4G NDD04N50Z-1G NDD03N50Z-1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 500 V 500 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc) 2.9A (Tc) 3A (Tc) 2.6A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 61W (Tc) 96W (Tc) 61W (Tc) 58W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 312 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 308 pF @ 25 V 274 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5Ohm @ 1.2A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base NDD03 NDD03 NDD04 NDD03
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur I-PAK DPAK-3 I-PAK I-PAK

Fiche technique NDD03N60Z-1G PDF

Téléchargez NDD03N60Z-1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDD03N60Z-1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 24/Jul/2015.pdf Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 29/Aug/2017.pdf
Feuilles de données
NDx03N60Z.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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