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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDD03N50Z-1G
NDD03N50Z-1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDD03N50Z-1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDD03N50Z-1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDD03N50Z-1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
NDD03N50Z.pdf
En stock: 4400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDD03N50Z-1G
onsemi - NDD03N50Z-1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDD03N50Z-1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 58W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 274 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc)  
Numéro de produit de base NDD03  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDD03N50Z-1G

Attributs du produit NDD03N50Z-1G NDD02N60ZT4G NDD02N60Z-1G NDD02N40T4G
Modèle de produit NDD03N50Z-1G NDD02N60ZT4G NDD02N60Z-1G NDD02N40T4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base NDD03 NDD02 NDD02 NDD02
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3Ohm @ 1.15A, 10V 4.8Ohm @ 1A, 10V 4.8Ohm @ 1A, 10V 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 58W (Tc) 57W (Tc) 57W (Tc) 39W (Tc)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 10.1 nC @ 10 V 5.5 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur I-PAK DPAK I-PAK DPAK
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 274 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 274 pF @ 25 V 121 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc) 2.2A (Tc) 2.2A (Tc) 1.7A (Tc)
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 600 V 400 V

Fiche technique NDD03N50Z-1G PDF

Téléchargez NDD03N50Z-1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDD03N50Z-1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 24/Jul/2015.pdf
Feuilles de données
NDD03N50Z.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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