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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDBA180N10BT4H
NDBA180N10BT4H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDBA180N10BT4H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDBA180N10BT4H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDBA180N10BT4H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NDBA180N10BT4H.pdf
En stock: 4930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDBA180N10BT4H
onsemi - NDBA180N10BT4H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDBA180N10BT4H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V, 15V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Ta)  
Numéro de produit de base NDBA18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDBA180N10BT4H

Attributs du produit NDBA180N10BT4H NDB6060L NDB6060L NDB7060
Modèle de produit NDBA180N10BT4H NDB6060L NDB6060L NDB7060
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V 20mOhm @ 24A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V, 15V 5V, 10V 5V, 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 115 nC @ 10 V
Température de fonctionnement 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base NDBA18 NDB6060 - NDB706
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Ta) 48A (Tc) 48A (Tc) 75A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique NDBA180N10BT4H PDF

Téléchargez NDBA180N10BT4H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDBA180N10BT4H - onsemi.

Informations environnementales
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PCN Obsolescence / EOL
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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NDBA180N10BT4H

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