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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDB7051
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDB7051 - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
NDB7051
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-NDB7051
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NDB7051.pdf
État RoHS
En stock: 26498

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDB7051
Fairchild Semiconductor - NDB7051 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - NDB7051

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor NDB7051

Attributs du produit NDB7051 NDB6060L NDB7051 NDB7060L
Modèle de produit NDB7051 NDB6060L NDB7051 NDB7060L
Fabricant Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc) 48A (Tc) 70A (Tc) 75A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 100 nC @ 10 V 115 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1930 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 1930 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 50 V 60 V 50 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 35A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 35A, 10V 15mOhm @ 37.5A, 5V
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc) 100W (Tc) 130W (Tc) -
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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