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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMVSF2N02ELT1G
MVSF2N02ELT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MVSF2N02ELT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MVSF2N02ELT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MVSF2N02ELT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MGSF2N02EL, MVSF2N02EL.pdf
État RoHS
En stock: 125940

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MVSF2N02ELT1G
onsemi - MVSF2N02ELT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MVSF2N02ELT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta)  
Numéro de produit de base MVSF2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MVSF2N02ELT1G

Attributs du produit MVSF2N02ELT1G STP4N150 STL24N60M2 SI2308DS-T1-E3
Modèle de produit MVSF2N02ELT1G STP4N150 STL24N60M2 SI2308DS-T1-E3
Fabricant onsemi STMicroelectronics STMicroelectronics Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - PowerMESH™ MDmesh™ II Plus TrenchFET®
Tension drain-source (Vdss) 20 V 1500 V 600 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 5 V 1300 pF @ 25 V 1060 pF @ 100 V 240 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 160W (Tc) 125W (Tc) 1.25W (Ta)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) TO-220 PowerFlat™ (8x8) HV SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta) 4A (Tc) 18A (Tc) 2A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base MVSF2 STP4N150 STL24 SI2308
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4 V 50 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 8-PowerVDFN TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.6A, 4.5V 7Ohm @ 2A, 10V 210mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 2A, 10V
Vgs (Max) ±8V ±30V ±25V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 10V 10V 4.5V, 10V

Fiche technique MVSF2N02ELT1G PDF

Téléchargez MVSF2N02ELT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MVSF2N02ELT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 27/Sep/2016.pdf Wire Chg 26/Apr/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Feuilles de données
MGSF2N02EL, MVSF2N02EL.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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