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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxMCH6662-TL-H
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MCH6662-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MCH6662-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MCH6662-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
MCH6662.pdf
En stock: 4020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MCH6662-TL-H
onsemi - MCH6662-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MCH6662-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MCPH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 800mW  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 128pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base MCH6662  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MCH6662-TL-H

Attributs du produit MCH6662-TL-H MCH6660-TL-W MCH6663-TL-H MCH6663-TL-W
Modèle de produit MCH6662-TL-H MCH6660-TL-W MCH6663-TL-H MCH6663-TL-W
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 128pF @ 10V 128pF @ 10V 88pF @ 10V 88pF @ 10V
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 30V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 4V Drive
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 800mW 800mW 800mW 800mW
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 1.8nC @ 4.5V 2nC @ 10V 2nC @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id - 1.3V @ 1mA - 2.6V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 1A, 4.5V 136mOhm @ 1A, 4.5V 188mOhm @ 900mA, 10V 188mOhm @ 900mA, 10V
Package composant fournisseur 6-MCPH 6-MCPH 6-MCPH SC-88FL/MCPH6
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A 2A, 1.5A 1.8A, 1.5A 1.8A, 1.5A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base MCH6662 MCH6660 MCH6663 MCH6663

Fiche technique MCH6662-TL-H PDF

Téléchargez MCH6662-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MCH6662-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf
Feuilles de données
MCH6662.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Update 09/Apr/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Transfer 25/Sep/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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