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KSB1116GTA Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

KSB1116GTA - onsemi

Fabricant Modèle de produit
KSB1116GTA
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-KSB1116GTA
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Fiche technique
KSB1116/1116A.pdf
En stock: 3800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques KSB1116GTA
onsemi - KSB1116GTA Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - KSB1116GTA

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Puissance - Max 750 mW  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Box (TB)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 120MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1 A  
Numéro de produit de base KSB11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi KSB1116GTA

Attributs du produit KSB1116GTA KSB1151YSTSSTU KSB1015YTU KSB1017YTU
Modèle de produit KSB1116GTA KSB1151YSTSSTU KSB1015YTU KSB1017YTU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Puissance - Max 750 mW 1.3 W 25 W 25 W
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 10µA (ICBO) 100µA (ICBO) 30µA (ICBO)
Transistor Type PNP PNP PNP PNP
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur (Ic) (max) 1 A 5 A 3 A 4 A
Emballer Tape & Box (TB) Tube Bulk Tube
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V 160 @ 2A, 1V 100 @ 500mA, 5V 120 @ 500mA, 5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-126-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Séries - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V 60 V 60 V 80 V
Fréquence - Transition 120MHz - 9MHz 9MHz
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-225AA, TO-126-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base KSB11 KSB11 - KSB1017
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A 300mV @ 200mA, 2A 1V @ 300mA, 3A 1.7V @ 300mA, 3A

Fiche technique KSB1116GTA PDF

Téléchargez KSB1116GTA PDF DataSheets et Documentation onsemi pour KSB1116GTA - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
KSB1116/1116A.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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KSB1116GTA

onsemi
32D-KSB1116GTA

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