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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleKSB1151YSTSTU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

KSB1151YSTSTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
KSB1151YSTSTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-KSB1151YSTSTU
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Description détaillée
Emballage
TO-225AA, TO-126-3
Fiche technique
KSB1151.pdf
En stock: 3740

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques KSB1151YSTSTU
onsemi - KSB1151YSTSTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - KSB1151YSTSTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur TO-126-3  
Séries -  
Puissance - Max 1.3 W  
Package / Boîte TO-225AA, TO-126-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 2A, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 5 A  
Numéro de produit de base KSB11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi KSB1151YSTSTU

Attributs du produit KSB1151YSTSTU KSB1121STF KSB1366YTU KSB1366Y
Modèle de produit KSB1151YSTSTU KSB1121STF KSB1366YTU KSB1366Y
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Séries - - - -
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fréquence - Transition - 150MHz 9MHz 9MHz
Package / Boîte TO-225AA, TO-126-3 TO-243AA TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 10µA (ICBO) 100nA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 5 A 2 A 3 A 3 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60 V 25 V 60 V 60 V
Package composant fournisseur TO-126-3 SOT-89-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 2A, 1V 140 @ 100mA, 2V 100 @ 500mA, 5V 100 @ 500mA, 5V
Puissance - Max 1.3 W 1.3 W 2 W 2 W
Transistor Type PNP PNP PNP PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A 600mV @ 75mA, 1.5A 1V @ 200mA, 2A 1V @ 200mA, 2A
Numéro de produit de base KSB11 KSB11 KSB13 KSB13

Fiche technique KSB1151YSTSTU PDF

Téléchargez KSB1151YSTSTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour KSB1151YSTSTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Status Chg 22/Feb/2017.pdf
Feuilles de données
KSB1151.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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