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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUFA76645S3ST
HUFA76645S3ST Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUFA76645S3ST - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUFA76645S3ST
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUFA76645S3ST
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HUFA76645P3, HUFA76645S3S.pdf
En stock: 5310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUFA76645S3ST
onsemi - HUFA76645S3ST Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUFA76645S3ST

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base HUFA76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUFA76645S3ST

Attributs du produit HUFA76645S3ST HUFA76645S3S HUFA76619D3S HUFA76633S3S
Modèle de produit HUFA76645S3ST HUFA76645S3S HUFA76619D3S HUFA76633S3S
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-252AA D2PAK (TO-263)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V 14mOhm @ 75A, 10V 85mOhm @ 18A, 10V 35mOhm @ 39A, 10V
Numéro de produit de base HUFA76 - HUFA76 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 18A (Tc) 39A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 310W (Tc) 75W (Tc) 145W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 767 pF @ 25 V 1820 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique HUFA76645S3ST PDF

Téléchargez HUFA76645S3ST PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUFA76645S3ST - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HUFA76645P3, HUFA76645S3S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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