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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUFA76609D3
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUFA76609D3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUFA76609D3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUFA76609D3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
HUFA76609D3/D3S.pdf
En stock: 4620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUFA76609D3
onsemi - HUFA76609D3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUFA76609D3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 49W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)  
Numéro de produit de base HUFA76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUFA76609D3

Attributs du produit HUFA76609D3 HUFA76629D3S HUFA76439P3 HUFA76443S3S
Modèle de produit HUFA76609D3 HUFA76629D3S HUFA76439P3 HUFA76443S3S
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 60 V 60 V
Package composant fournisseur I-PAK TO-252AA TO-220-3 D²PAK (TO-263)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 25 V 1285 pF @ 25 V 2745 pF @ 25 V 4115 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base HUFA76 HUFA76 - HUFA76
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 49W (Tc) 110W (Tc) 155W (Tc) 260W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 129 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 10A, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc) 20A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique HUFA76609D3 PDF

Téléchargez HUFA76609D3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUFA76609D3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HUFA76609D3/D3S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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