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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU2N100TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU2N100TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU2N100TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU2N100TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQD2N100, FQU2N100.pdf
État RoHS
En stock: 57500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU2N100TU
onsemi - FQU2N100TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU2N100TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 800mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU2N100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU2N100TU

Attributs du produit FQU2N100TU FQU20N06LTU FQU2N60CTU FQU20N06LTU
Modèle de produit FQU2N100TU FQU20N06LTU FQU2N60CTU FQU20N06LTU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 60 V 600 V 60 V
Emballer Tube Bulk Bulk Tube
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc) 17.2A (Tc) 1.9A (Tc) 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9Ohm @ 800mA, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V 4.7Ohm @ 950mA, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.5 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 12 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base FQU2N100 - - FQU20N06
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA

Fiche technique FQU2N100TU PDF

Téléchargez FQU2N100TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU2N100TU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
FQD2N100, FQU2N100.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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