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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQU20N06LTU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQU20N06LTU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQU20N06LTU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQU20N06LTU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FQD20N06L, FQU20N06L.pdf
État RoHS
En stock: 116070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQU20N06LTU
onsemi - FQU20N06LTU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQU20N06LTU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.2A (Tc)  
Numéro de produit de base FQU20N06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQU20N06LTU

Attributs du produit FQU20N06LTU FQU2N50BTU FQU1N60CTU FQU1N80TU
Modèle de produit FQU20N06LTU FQU2N50BTU FQU1N60CTU FQU1N80TU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V 8 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V 7.2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17.2A (Tc) 1.6A (Tc) 1A (Tc) 1A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 500 V 600 V 800 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Numéro de produit de base FQU20N06 - - FQU1N80
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 11.5Ohm @ 500mA, 10V 20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.7V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®

Fiche technique FQU20N06LTU PDF

Téléchargez FQU20N06LTU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQU20N06LTU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Add 14/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
FQD20N06L, FQU20N06L.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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