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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF5N20
FQPF5N20 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF5N20 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF5N20
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF5N20
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF5N20.pdf
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF5N20
onsemi - FQPF5N20 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF5N20

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF5N20

Attributs du produit FQPF5N20 FQPF4N90CT FQPF4P40 FQPF4N90C
Modèle de produit FQPF5N20 FQPF4N90CT FQPF4P40 FQPF4N90C
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc) 4A (Tc) 2.4A (Tc) 4A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 32W (Tc) 47W (Tc) 39W (Tc) 47W (Tc)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FQPF5 FQPF4 FQPF4 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1.75A, 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V 3.1Ohm @ 1.2A, 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tension drain-source (Vdss) 200 V 900 V 400 V 900 V

Fiche technique FQPF5N20 PDF

Téléchargez FQPF5N20 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF5N20 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQPF5N20.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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