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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF50N06
FQPF50N06 Image
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FQPF50N06 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF50N06
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF50N06
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 31A TO220F
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF50N06.pdf
Notre certification
En stock: 4450

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FQPF50N06
onsemi - FQPF50N06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF50N06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 15.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF5  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF50N06

Attributs du produit FQPF50N06 FQPF4N90 FQPF5N15 FQPF4N90CT
Modèle de produit FQPF50N06 FQPF4N90 FQPF5N15 FQPF4N90CT
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Dissipation de puissance (max) 47W (Tc) 47W (Tc) 32W (Tc) 47W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 2.5A (Tc) 4.2A (Tc) 4A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1540 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V 960 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FQPF5 - - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 900 V 150 V 900 V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 15.5A, 10V 3.3Ohm @ 1.25A, 10V 800mOhm @ 2.1A, 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V

Fiche technique FQPF50N06 PDF

Téléchargez FQPF50N06 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF50N06 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQPF50N06.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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