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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQI3N90TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQI3N90TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQI3N90TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQI3N90TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
FQB3N90, FQI3N90.pdf
En stock: 3680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQI3N90TU
onsemi - FQI3N90TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQI3N90TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 1.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Tc)  
Numéro de produit de base FQI3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQI3N90TU

Attributs du produit FQI3N90TU FQI47P06TU FQI47P06TU FQI3N25TU
Modèle de produit FQI3N90TU FQI47P06TU FQI47P06TU FQI3N25TU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Tc) 47A (Tc) 47A (Tc) 2.8A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 1.8A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 900 V 60 V 60 V 250 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FQI3 FQI4 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®

Fiche technique FQI3N90TU PDF

Téléchargez FQI3N90TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQI3N90TU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB3N90, FQI3N90.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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