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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQI3N30TU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQI3N30TU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQI3N30TU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQI3N30TU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
FQB3N30, FQI3N30.pdf
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQI3N30TU
onsemi - FQI3N30TU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQI3N30TU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Tc)  
Numéro de produit de base FQI3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQI3N30TU

Attributs du produit FQI3N30TU FQI4N20TU FQI3N25TU FQI47P06TU
Modèle de produit FQI3N30TU FQI4N20TU FQI3N25TU FQI47P06TU
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 2.2Ohm @ 1.4A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Numéro de produit de base FQI3 FQI4 - FQI4
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 3.13W (Ta), 55W (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc)
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 300 V 200 V 250 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Tc) 3.6A (Tc) 2.8A (Tc) 47A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±25V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V

Fiche technique FQI3N30TU PDF

Téléchargez FQI3N30TU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQI3N30TU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQB3N30, FQI3N30.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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