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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD17N08LTF
FQD17N08LTF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD17N08LTF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD17N08LTF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD17N08LTF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD17N08LTF.pdf
En stock: 4870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD17N08LTF
onsemi - FQD17N08LTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD17N08LTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6.45A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.9A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD17N08LTF

Attributs du produit FQD17N08LTF FQD17P06TM FQD16N15TM FQD16N25CTM
Modèle de produit FQD17N08LTF FQD17P06TM FQD16N15TM FQD16N25CTM
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 160W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.5 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 53.5 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur D-Pak TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6.45A, 10V 135mOhm @ 6A, 10V 160mOhm @ 5.9A, 10V 270mOhm @ 8A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.9A (Tc) 12A (Tc) 11.8A (Tc) 16A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V 60 V 150 V 250 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base FQD1 FQD17P06 - FQD16N25
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

Fiche technique FQD17N08LTF PDF

Téléchargez FQD17N08LTF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD17N08LTF - onsemi.

Informations environnementales
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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