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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD16N15TM
FQD16N15TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD16N15TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD16N15TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD16N15TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD16N15, FQU16N15.pdf
En stock: 5300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD16N15TM
onsemi - FQD16N15TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD16N15TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.8A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD16N15TM

Attributs du produit FQD16N15TM FQD17N08LTF FQD16N25CTM FQD17N08LTM
Modèle de produit FQD16N15TM FQD17N08LTF FQD16N25CTM FQD17N08LTM
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 1080 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V
Numéro de produit de base FQD1 FQD1 - FQD17N08
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.8A (Tc) 12.9A (Tc) 16A (Tc) 12.9A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 11.5 nC @ 5 V 53.5 nC @ 10 V 11.5 nC @ 5 V
Tension drain-source (Vdss) 150 V 80 V 250 V 80 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5.9A, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V 270mOhm @ 8A, 10V 100mOhm @ 6.45A, 10V
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 160W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Package composant fournisseur TO-252AA D-Pak TO-252, (D-Pak) D-Pak

Fiche technique FQD16N15TM PDF

Téléchargez FQD16N15TM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD16N15TM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQD16N15, FQU16N15.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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FQD16N15TM

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32D-FQD16N15TM

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