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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD13N06LTF
FQD13N06LTF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD13N06LTF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD13N06LTF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD13N06LTF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD13N06LTF.pdf
En stock: 3680

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD13N06LTF
onsemi - FQD13N06LTF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD13N06LTF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD13N06LTF

Attributs du produit FQD13N06LTF FQD12P10TM FQD13N06LTM FQD12P10TF
Modèle de produit FQD13N06LTF FQD12P10TM FQD13N06LTM FQD12P10TF
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 5V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 9.4A (Tc) 11A (Tc) 9.4A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 5.5A, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V 115mOhm @ 5.5A, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 100 V 60 V 100 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Numéro de produit de base FQD1 - - FQD1
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 6.4 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V

Fiche technique FQD13N06LTF PDF

Téléchargez FQD13N06LTF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD13N06LTF - onsemi.

Informations environnementales
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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