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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQD12P10TM
FQD12P10TM Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQD12P10TM - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQD12P10TM
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQD12P10TM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FQD12P10, FQU12P10.pdf
En stock: 5260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQD12P10TM
onsemi - FQD12P10TM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQD12P10TM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 4.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Tc)  
Numéro de produit de base FQD1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQD12P10TM

Attributs du produit FQD12P10TM FQD12P10TF FQD12N20TM FQD13N06LTM
Modèle de produit FQD12P10TM FQD12P10TF FQD12N20TM FQD13N06LTM
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 5V, 10V
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Tc) 9.4A (Tc) 9A (Tc) 11A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 4.7A, 10V 290mOhm @ 4.7A, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 115mOhm @ 5.5A, 10V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 60 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 6.4 nC @ 5 V
Numéro de produit de base FQD1 FQD1 - FQD13N06
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA

Fiche technique FQD12P10TM PDF

Téléchargez FQD12P10TM PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQD12P10TM - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQD12P10, FQU12P10.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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