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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQA14N30
FQA14N30 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQA14N30 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQA14N30
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQA14N30
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 15A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FQA14N30.pdf
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQA14N30
onsemi - FQA14N30 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQA14N30

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base FQA1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQA14N30

Attributs du produit FQA14N30 FQA160N08 FQA160N08 FQA16N50
Modèle de produit FQA14N30 FQA160N08 FQA160N08 FQA16N50
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V 320mOhm @ 8A, 10V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Numéro de produit de base FQA1 FQA160 - FQA1
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 200W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-3P TO-3PN TO-3PN TO-3P
Tension drain-source (Vdss) 300 V 80 V 80 V 500 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 160A (Tc) 160A (Tc) 16A (Tc)

Fiche technique FQA14N30 PDF

Téléchargez FQA14N30 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQA14N30 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FQA14N30.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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