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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQA13N80-F109
FQA13N80-F109 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQA13N80-F109 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQA13N80-F109
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQA13N80-F109
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FQA13N80-F109.pdf
État RoHS
En stock: 14547

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQA13N80-F109
onsemi - FQA13N80-F109 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQA13N80-F109

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 6.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.6A (Tc)  
Numéro de produit de base FQA13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQA13N80-F109

Attributs du produit FQA13N80-F109 FQA16N50 FQA14N30 FQA14N30
Modèle de produit FQA13N80-F109 FQA16N50 FQA14N30 FQA14N30
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3P TO-3P TO-3P
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FQA13 - FQA1 -
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 300 V 300 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 6.3A, 10V 320mOhm @ 8A, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 7.5A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12.6A (Tc) 16A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 200W (Tc) 160W (Tc) 160W (Tc)

Fiche technique FQA13N80-F109 PDF

Téléchargez FQA13N80-F109 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQA13N80-F109 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 27/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FQA13N80-F109.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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