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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDW258P
FDW258P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDW258P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDW258P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDW258P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
FDW258P.pdf
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDW258P
onsemi - FDW258P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDW258P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5049 pF @ 5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  
Numéro de produit de base FDW25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDW258P

Attributs du produit FDW258P FDW262P FDW262P FDW264P
Modèle de produit FDW258P FDW262P FDW262P FDW264P
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Numéro de produit de base FDW25 FDW26 - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5049 pF @ 5 V 1193 pF @ 10 V 1193 pF @ 10 V 7225 pF @ 10 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V 47mOhm @ 4.5A, 4.5V 47mOhm @ 4.5A, 4.5V 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) 4.5A (Ta) 4.5A (Ta) 9.7A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V 20 V 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 73 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 18 nC @ 4.5 V 135 nC @ 5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V

Fiche technique FDW258P PDF

Téléchargez FDW258P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDW258P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDW258P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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