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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDW252P
FDW252P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDW252P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDW252P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDW252P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
FDW252P.pdf
En stock: 4770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDW252P
onsemi - FDW252P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDW252P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5045 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta)  
Numéro de produit de base FDW25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDW252P

Attributs du produit FDW252P FDW258P FDW258P FDW252P
Modèle de produit FDW252P FDW258P FDW258P FDW252P
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V 11mOhm @ 9A, 4.5V 11mOhm @ 9A, 4.5V 12.5mOhm @ 8.8A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±12V
Numéro de produit de base FDW25 FDW25 - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.8A (Ta) 9A (Ta) 9A (Ta) 8.8A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 4.5 V 73 nC @ 4.5 V 73 nC @ 4.5 V 66 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5045 pF @ 10 V 5049 pF @ 5 V 5049 pF @ 5 V 5045 pF @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 12 V 12 V 20 V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique FDW252P PDF

Téléchargez FDW252P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDW252P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDW252P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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