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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDT461N
FDT461N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDT461N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDT461N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDT461N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
FDT461N.pdf
En stock: 4050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDT461N
onsemi - FDT461N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDT461N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223-4  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 540mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.13W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 74 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 540mA (Ta)  
Numéro de produit de base FDT46  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDT461N

Attributs du produit FDT461N FDT459N FDT457N FDT55AN06LA0
Modèle de produit FDT461N FDT459N FDT457N FDT55AN06LA0
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 5.9 nC @ 5 V 10 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 30 V 60 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 74 pF @ 25 V 365 pF @ 15 V 235 pF @ 15 V 1130 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 540mA (Ta) 6.5A (Ta) 5A (Ta) 12.1A (Tc)
Numéro de produit de base FDT46 FDT45 FDT457 FDT55
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 540mA, 10V 35mOhm @ 6.5A, 10V 60mOhm @ 5A, 10V 46mOhm @ 11A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Package composant fournisseur SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Séries PowerTrench® - - PowerTrench®
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Dissipation de puissance (max) 1.13W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) 8.9W (Tc)

Fiche technique FDT461N PDF

Téléchargez FDT461N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDT461N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDT461N.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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