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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDR4420A
FDR4420A Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDR4420A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDR4420A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDR4420A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8
Description détaillée
Emballage
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Fiche technique
FDR4420A.pdf
En stock: 4560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDR4420A
onsemi - FDR4420A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDR4420A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)  
Package / Boîte 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta)  
Numéro de produit de base FDR44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDR4420A

Attributs du produit FDR4420A FDR838P FDR840P FDR840P
Modèle de produit FDR4420A FDR838P FDR840P FDR840P
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Séries - - - -
Vgs (Max) ±20V ±8V ±12V ±12V
Numéro de produit de base FDR44 FDR83 - FDR84
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V 45 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V 60 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta) 8A (Ta) 10A (Ta) 10A (Ta)
Package composant fournisseur SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V 17mOhm @ 8A, 4.5V 12mOhm @ 10A, 4.5V 12mOhm @ 10A, 4.5V
Package / Boîte 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 15 V 3300 pF @ 10 V 4481 pF @ 10 V 4481 pF @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDR4420A PDF

Téléchargez FDR4420A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDR4420A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDR4420A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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