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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDR840P
FDR840P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDR840P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDR840P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDR840P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8
Description détaillée
Emballage
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Fiche technique
FDR840P.pdf
En stock: 4610

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDR840P
onsemi - FDR840P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDR840P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta)  
Package / Boîte 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4481 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  
Numéro de produit de base FDR84  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDR840P

Attributs du produit FDR840P FDR842P FDR838P FDR836P
Modèle de produit FDR840P FDR842P FDR838P FDR836P
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4481 pF @ 10 V 5350 pF @ 6 V 3300 pF @ 10 V 2200 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 900mW (Ta)
Numéro de produit de base FDR84 FDR84 FDR83 -
Package composant fournisseur SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8 SuperSOT™-8
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V 45 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 12 V 20 V 20 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Vgs (Max) ±12V ±8V ±8V ±8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 11A (Ta) 8A (Ta) 6.1A (Ta)
Séries - - - PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V 9mOhm @ 11A, 4.5V 17mOhm @ 8A, 4.5V 30mOhm @ 6.1A, 4.5V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Package / Boîte 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Fiche technique FDR840P PDF

Téléchargez FDR840P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDR840P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDR840P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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