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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP12N50
FDP12N50 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP12N50 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP12N50
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP12N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDP12N50, FDPF12N50.pdf
État RoHS
En stock: 3910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP12N50
onsemi - FDP12N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP12N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries UniFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 165W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1315 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.5A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP12  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP12N50

Attributs du produit FDP12N50 FDP14AN06LA0 FDP13AN06A0 FDP12N50
Modèle de produit FDP12N50 FDP14AN06LA0 FDP13AN06A0 FDP12N50
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 6V, 10V 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 60 V 60 V 500 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 165W (Tc) 125W (Tc) 115W (Tc) 165W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V 29 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Séries UniFET™ PowerTrench® PowerTrench® UniFET™
Numéro de produit de base FDP12 - FDP13 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 6A, 10V 11.6mOhm @ 67A, 10V 13.5mOhm @ 62A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11.5A (Tc) 10A (Ta), 67A (Tc) 10.9A (Ta), 62A (Tc) 11.5A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1315 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1315 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FDP12N50 PDF

Téléchargez FDP12N50 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP12N50 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDP12N50, FDPF12N50.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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