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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP14AN06LA0
FDP14AN06LA0 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP14AN06LA0 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP14AN06LA0
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP14AN06LA0
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDB14AN06LA0, FDP14AN06LA0.pdf
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP14AN06LA0
onsemi - FDP14AN06LA0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP14AN06LA0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 67A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 67A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP14AN06LA0

Attributs du produit FDP14AN06LA0 FDP14AN06LA0 FDP13AN06A0 FDP12N50NZ
Modèle de produit FDP14AN06LA0 FDP14AN06LA0 FDP13AN06A0 FDP12N50NZ
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Emballer Tube Tube Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 6V, 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta), 67A (Tc) 10A (Ta), 67A (Tc) 10.9A (Ta), 62A (Tc) 11.5A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 67A, 10V 11.6mOhm @ 67A, 10V 13.5mOhm @ 62A, 10V 520mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 500 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base FDP14 - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 125W (Tc) 115W (Tc) 170W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V 29 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V 1235 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique FDP14AN06LA0 PDF

Téléchargez FDP14AN06LA0 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP14AN06LA0 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDB14AN06LA0, FDP14AN06LA0.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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