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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDN372S
FDN372S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDN372S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDN372S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDN372S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
FDN372S.pdf
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDN372S
onsemi - FDN372S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDN372S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta)  
Numéro de produit de base FDN372  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDN372S

Attributs du produit FDN372S FDN537N FDN371N FDN371N
Modèle de produit FDN372S FDN537N FDN371N FDN371N
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SuperSOT-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.6A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 1.5W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V 815 pF @ 10 V 815 pF @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta) 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) 2.5A (Ta) 2.5A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±16V ±20V ±12V ±12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.1 nC @ 5 V 8.4 nC @ 10 V 10.7 nC @ 4.5 V 10.7 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base FDN372 FDN537 FDN371 FDN371
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V

Fiche technique FDN372S PDF

Téléchargez FDN372S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDN372S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 08/April/2008.pdf Wire Bonding 07/Nov/2008.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Feuilles de données
FDN372S.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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