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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDN371N
FDN371N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDN371N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDN371N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDN371N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
FDN371N.pdf
En stock: 5360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDN371N
onsemi - FDN371N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDN371N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numéro de produit de base FDN371  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDN371N

Attributs du produit FDN371N FDN371N FDN361BN FDN537N
Modèle de produit FDN371N FDN371N FDN361BN FDN537N
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base FDN371 FDN371 - FDN537
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V 10.7 nC @ 4.5 V 1.8 nC @ 4.5 V 8.4 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 50mOhm @ 2.5A, 4.5V 110mOhm @ 1.4A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SOT-23-3 SuperSOT-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1.5W (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 815 pF @ 10 V 815 pF @ 10 V 193 pF @ 15 V 465 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 2.5A (Ta) 1.4A (Ta) 6.5A (Ta), 6.5A (Tc)

Fiche technique FDN371N PDF

Téléchargez FDN371N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDN371N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Conception / spécification PCN
Mold Compound 08/April/2008.pdf Wire Bonding 07/Nov/2008.pdf
Modification de l'état de la pièce PCN
Status Chg 22/Feb/2017.pdf
Feuilles de données
FDN371N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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