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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS86350ET80
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS86350ET80 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS86350ET80
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS86350ET80
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS86350ET80.pdf
État RoHS
En stock: 13456

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS86350ET80
onsemi - FDMS86350ET80 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS86350ET80

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Ta), 187W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8030 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta), 198A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS86350  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS86350ET80

Attributs du produit FDMS86350ET80 FDMS86350 FDMS86320 FDMS86322
Modèle de produit FDMS86350ET80 FDMS86350 FDMS86320 FDMS86322
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta), 198A (Tc) 25A (Ta), 130A (Tc) 10.5A (Ta), 22A (Tc) 13A (Ta), 60A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base FDMS86350 FDMS86 FDMS86 FDMS86
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V 8V, 10V 8V, 10V 6V, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 80 V 80 V 80 V 80 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 3.3W (Ta), 187W (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8030 pF @ 40 V 10680 pF @ 40 V 2640 pF @ 40 V 3000 pF @ 50 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 11.7mOhm @ 10.5A, 10V 7.65mOhm @ 13A, 10V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)

Fiche technique FDMS86350ET80 PDF

Téléchargez FDMS86350ET80 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS86350ET80 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 28/Sep/2021.pdf
Feuilles de données
FDMS86350ET80.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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