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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS86300
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS86300 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS86300
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS86300
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS86300.pdf
État RoHS
En stock: 22986

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS86300
onsemi - FDMS86300 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS86300

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7082 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 80A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS86  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS86300

Attributs du produit FDMS86300 FDMS86250 FDMS86350 FDMS86255
Modèle de produit FDMS86300 FDMS86250 FDMS86350 FDMS86255
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 19A (Ta), 80A (Tc) 6.7A (Ta), 20A (Tc) 25A (Ta), 130A (Tc) 10A (Ta), 45A (Tc)
Numéro de produit de base FDMS86 FDMS86 FDMS86 FDMS86
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 6V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7082 pF @ 40 V 2330 pF @ 75 V 10680 pF @ 40 V 4480 pF @ 75 V
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 19A, 10V 25mOhm @ 6.7A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 12.4mOhm @ 10A, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 80 V 150 V 80 V 150 V

Fiche technique FDMS86300 PDF

Téléchargez FDMS86300 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS86300 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMS86300.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Capacity Expansion 20/Aug/2021.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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