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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS7560S
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS7560S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS7560S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS7560S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMS7560S.pdf
État RoHS
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS7560S
onsemi - FDMS7560S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS7560S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6)  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5945 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 49A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS7560  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS7560S

Attributs du produit FDMS7560S FDMS7578 FDMS7570S FDMS6681Z
Modèle de produit FDMS7560S FDMS7578 FDMS7570S FDMS6681Z
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5945 pF @ 13 V 1625 pF @ 13 V 4515 pF @ 13 V 10380 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 49A (Tc) 17A (Ta), 28A (Tc) 28A (Ta), 49A (Tc) 21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 30A, 10V 5.8mOhm @ 17A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±25V
Numéro de produit de base FDMS7560 - FDMS7570 FDMS6681
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®

Fiche technique FDMS7560S PDF

Téléchargez FDMS7560S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS7560S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
FDMSyyy 16/Mar/2020.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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